لی جون (Lei Jun)، مدیرعامل شرکت شیائومی، با ارائه مقالات تحقیقاتی منحصربهفرد خود که به کنفرانس IEDM 2025 راه یافته، نقش برجستهای در صنعت نیمههادیها ایفا کرده است. او اعلام کرد که تیم تحقیقاتی آنها، تحت عنوان گروه فرکانسهای رادیویی گوشی، موفق به اختراع فناوری پیشرفتهای به نام گالیوم نیترید (GaN) شدهاند. این نوآوری نه تنها معضل مصرف انرژی در راستای گسترش اتصال 6G در سرتاسر جهان را حل میکند، بلکه ارتقاء قابل توجهی برای سختافزار گوشیهای شیائومی به ارمغان میآورد.
رفع چالش مصرف انرژی
با ظهور نسل جدید اینترنت، یعنی 6G، تقاضا برای مصرف انرژی دادهها به سطحی غیرقابل تصور رسیده که ممکن است به اختلالاتی در عملکرد تکنولوژیهای کنونی منتهی شود. تقویتکنندههای گالیوم آرسنید (GaAs) که در طی چهار دهه گذشته استفاده شدهاند، به اوج عملکرد خود در زمینه دما و بهرهوری انرژی نزدیک شدهاند. اگرچه گالیوم نیترید به عنوان مادهای بهتر نسبت به این تقویتکنندهها محسوب میشود، اما ولتاژ لازم برای آن همیشه باید بالا (۲۸/۴۸ ولت) باقی بماند که در گوشیهای هوشمند عملی نیست. گروه تحقیقاتی شیائومی یکی از تیمهایی است که موفق به از بین بردن این محدودیت شده است. آنها توانستهاند روشی با ولتاژ پایین از گالیوم نیترید بر اساس سیلیکون ایجاد کنند که در رنج مصرف انرژی گوشیهای هوشمند کاربرد دارد. این دستاورد به پر کردن شکاف میان مواد با کارایی بالا و موادی که برای محصولات مصرفی طراحی شدهاند، کمک میکند.
عملکردی فوقالعاده
مقاله ارائه شده از سوی شیائومی شامل توضیحات مربوط به یک ترانزیستور با تحرک بالا (GaN HEMT) است که دارای عملکردی استثنائی میباشد. این فناوری نوآورانه توانایی ارائه بهرهوری انرژی بالای ۸۰ درصد را در ولتاژ عملیاتی ۱۰ ولت فراهم میآورد و نسبت به نسل قبلی جهش بزرگی محسوب میشود، چرا که با چگالی توان بالاتر، دیگر دغدغهای درباره افزایش دمای مواد وجود ندارد. بدین ترتیب، شیائومی با بهینهسازی نیمههادیها و کاهش اتلاف فرکانس رادیویی، نشان داده است که گالیوم نیترید برای کاربرد در بخش RF گوشیهای هوشمند بسیار مناسب است. این تحقیق نه تنها به اعتبار علمی فناوری اشاره شده میافزاید، بلکه امکان تولید انبوه را تسهیل کرده و اطمینان حاصل میکند که گوشیها در آینده نزدیک بهتر و خنکتر عمل خواهند کرد.