شرکت سامسونگ به تازگی از روشی جدید با نام Heat Pass Block یا HPB در تراشه اگزینوس ۲۶۰۰ رونمایی کرده است که هدف آن به حداقل رساندن مقاومت حرارتی و بهبود فرآیند دفع گرما است. شایعات موجود نشان می‌دهد که این نوآوری با استقبال مناسبی روبرو شده و حتی در تراشه Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro نیز از همین تکنولوژی استفاده خواهد شد. این خبر بسیار جالب و مثبت است زیرا بسیاری از تولیدکنندگان به منظور کاهش دما به فن‌های خنک‌کننده سفارشی روی آورده‌اند. هر چند این فن‌ها در برخی مواقع کارایی دارند، اما تولید صدای آن‌ها ممکن است برای کاربران ناخوشایند باشد. خوشبختانه، یک منبع خبری ادعا می‌کند که با HPB نیاز به این گونه فن‌ها به‌طور کامل برطرف خواهد شد.

با افزایش نیاز به توان بالای تراشه‌ها برای ارائه کارایی بهتر، فناوری Heat Pass Block در اگزینوس ۲۶۰۰ می‌تواند به عنوان یک راهکار موثر تلقی گردد. یک افشاگر در ویبو به تازگی اعلام کرده که این سیستم حرارتی جدید قابلیت بهبود دفع گرما تا ۲۰ درصد را داراست. او همچنین در پست‌های سابق خود بیان کرده که Heat Pass Block می‌تواند به تراشه‌هایی نظیر Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro این امکان را دهد که به فرکانس ۵.۰۰ گیگاهرتز برسند. این فناوری برای کوالکام بسیار حیاتی است، چرا که این شرکت با رویکردی تهاجمی به طراحی پردازنده‌های خود به منظور دستیابی به امتیازهای بهتر در حالت‌های تک‌هسته‌ای و چند‌هسته‌ای، به دنبال افزایش فرکانس کاری می‌باشد.

انتظار می‌رود نسخه Snapdragon 8 Elite Gen 5 for Galaxy بتواند در هسته‌های پرقدرت خود به فرکانس ۴.۷۴ گیگاهرتز دست یابد که باعث افزایش تولید گرما خواهد شد. به منظور مبارزه با این چالش، شرکت‌های نظیر REDMAGIC اقدام به استفاده از فن‌های سفارشی در گوشی‌های هوشمند خود کرده‌اند. اما با وجود کارایی این فن‌ها، Snapdragon 8 Elite Gen 5 در برخی شرایط با مشکلات حرارتی مواجه می‌شود.

به عنوان مثال، در مقایسه گرافیکی و نرخ فریم بازی Tomb Raider 2013 که بر روی آیفون ۱۷ پرو مکس و REDMAGIC 11 Pro انجام شد، تراشه A19 Pro در دمای ۳۹ درجه سانتی‌گراد کار می‌کرد در حالی که Snapdragon 8 Elite Gen 5 در دمای بالاتر ۴۷ درجه سانتی‌گراد فعالیت داشت.

درباره عملکرد فناوری Heat Pass Block باید گفت که این فناوری در واقع یک هیت‌سینک است که بر روی دای تراشه نصب می‌گردد تا فرآیند انتقال حرارت را تسهیل کند. از آنجا که حافظه DRAM مستقر بر روی تراشه نیز گرما تولید می‌کند، در طراحی‌های قبلی فضای حرارتی محدود بوده و این امر مانع از عملکرد مستقیم تراشه با حداکثر توانش می‌شد.

خوشبختانه، این مسائل در اگزینوس ۲۶۰۰ با استفاده از فناوری Heat Pass Block حل شده است. اما با این حال، نمی‌توان به طور قطعی درباره کارایی روشی که هنوز در شرایط زندگی واقعی آزمایش نشده است نظر داد. بنابراین، در حالی که این فناوری بسیار امیدوارکننده به نظر می‌رسد، ضروری است که منتظر داده‌های عملی بمانیم تا مشخص گردد آیا گوشی‌های هوشمند پرچمدار همچنان به فن نیاز خواهند داشت یا خیر.

اشتراک‌گذاری »